Изучение процессов формирования наноразмерных соединений в ВТСП-материалах при имплантации ионов Ba$^+$

Впервые с использованием методов оже-электронной спектроскопии, спектроскопии характеристических потерь энергии электронов, измерения энергетических зависимостей коэффициента вторичной электронной эмиссии $\sigma$ исследовалось влияние имплантации ионов Ba на состав и ширину запрещенной зоны $E_g$, число валентных электронов керамики CuOY$_2$O$_3$BaO. Показано, что после ионной имплантации значение $\sigma$ увеличивается во всей исследуемой области энергий первичных электронов $E_p$. Это увеличение практически не зависит от температуры подложки в интервале $T$ = 85–300 K. Значение ширины запрещенной зоны $E_g$ увеличивается от 0.5 до 4.5 eV, что объясняется образованием тонкого слоя ($\sim$40–50 $\mathring{\mathrm{A}}$), обогащенного окисью бария.