InSb/GaAs-гетероструктуры для датчиков магнитного поля

В слоях InSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs, изучены структурные дефекты и транспортные свойства. Определен состав буферного слоя, обеспечивающего в нелегированных слоях InSb толщиной 0.5 $\mu$m наименьшую плотность дефектов и подвижность электронов около 39 000 cm$^2$/(V $\cdot$ s) при комнатной температуре. На основе легированных донорами слоев InSb сформирован датчик Холла с высокой чувствительностью $\sim$27 V/(A $\cdot$ T) при комнатной температуре.