Влияние поверхностных ловушек на статические характеристики и разброс тока насыщения канала GaN HEMT-транзисторов

Рассмотрен метод нейтрализации поверхностных ловушек в структурах нитрид-галлиевых транзисторов с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT), основанный на использовании поэтапного температурного воздействия – термотренировки. Проведены расчеты и экспериментальные исследования влияния ловушек на статические характеристики GaN HEMT, а также предложены эффективные способы борьбы с ловушками, в частности с помощью предлагаемых оптимальных режимов термотренировки.