Нелокальная динамика электронов в AlGaN/GaN-транзисторных гетероструктурах

Проведено сравнение нелокального разогрева электронов в транзисторных гетероструктурах на основе нитрида и арсенида галлия. Показано, что поперечный пространственный перенос электронов между слоями двойных псевдоморфных GaAs-гетероструктур в разы уменьшает величину всплеска их дрейфовой скорости при влете в область сильного поля по сравнению с его величиной в чистом объемном GaAs, а для гетероструктур на основе GaN аналогичный эффект не превышает 30%.