Особенности роста слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb

Представлены результаты исследования факторов, влияющих на толщину переходных слоев в напряженных сверхрешетках InAs/GaSb при их выращивании методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Показано, что толщины интерфейсных слоев между InAs и GaSb практически не зависят от температуры роста. Регистрируемое влияние на толщину интерфейсных слоев оказывает направление переключения роста слоев. Наименьшая толщина 1.2–1.4 nm интерфейсного слоя была получена для направления переключения роста с GaSb на InAs.