Механизм роста монослоя на верхней грани Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP

Исследован механизм роста монослоя на верхней грани Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaAs и GaP. В рамках теоретической модели определены максимальная степень заполнения монослоя за счет вещества в капле катализатора, скорость роста нитевидных нанокристаллов и содержание атомов V группы в капле в зависимости от условий роста. Получены оценки коэффициента переиспарения фосфора от соседних нитевидных нанокристаллов и подложки на основе сравнения теоретической и экспериментальной скорости роста Ga-каталитических нитевидных нанокристаллов GaP.