В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, А. Ф. Цацульников, А. В. Лобанова, М. В. Богданов, Р. А. Талалаев, Haiding Sun, Shibing Long, “Изучение процесса газофазного осаждения Ga$_2$O$_3$ из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур”, Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 4,страницы 44

Изучение процесса газофазного осаждения Ga$_2$O$_3$ из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур

В. В. Лундин^a, С. Н. Родин^a, А. В. Сахаров^a, А. Ф. Цацульников^b, А. В. Лобанова^c, М. В. Богданов^c, Р. А. Талалаев^c, Haiding Sun^d, Shibing Long^d

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия
^c OOO "Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
^d School of Microelectronics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, China

Аннотация: Проведено исследование газофазного осаждения Ga$_2$O$_3$ из триметилгаллия и кислорода в широком интервале температур. Показано, что зависимость скорости осаждения Ga$_2$O$_3$ от температуры близка к зависимости для индивидуального пиролиза триметилгаллия в азоте. Кинетически лимитированный интервал этих процессов соответствует температуре 550–700$^\circ$C, что на 150$^\circ$C выше, чем для осаждения GaN в том же реакторе.

Ключевые слова: оксид галлия, МОС-гидридная эпитаксия.

Поступила в редакцию: 17.11.2021
Исправленный вариант: 24.11.2021
Принята в печать: 24.11.2021

DOI: 10.21883/PJTF.2022.04.52085.19081