Влияние предварительной ионной бомбардировки на формирование нанопленок Co и CoSi$_2$ на поверхности Si при твердофазном осаждении

Для получения упорядоченно расположенных нанофаз Со и CoSi$_2$ на поверхности Si предварительно созданы зародыши методом бомбардировки ионами Ar$^+$ с энергией $E_0$ = 0.5 keV и дозой облучения $D$ = 8 $\cdot$ 10$^{13}$ cm$^{-2}$. Установлено, что при толщине слоя Со менее 3 ML в зонной структуре появляется узкая запрещенная зона ($E_g\approx$ 0.3 eV). Металлические свойства пленки Со проявляются при толщине более 4–5 ML. Прогрев системы Co/Si(111) при $T$ = 900 K приводит к образованию нанофаз и нанопленок CoSi$_2$. Величина $E_g$ для нанофаз CoSi$_2$ с $\theta\approx$ 3 ML составляет $\sim$0.8 eV, а для пленки CoSi$_2$ – 0.6 eV.