Аннотация:
Продемонстрирована технология создания текстурированных поверхностей методом ионно-лучевого травления сфокусированным пучком на подложках GaAs (100). Показана возможность гибкого управления формой и профилем формируемых субмикронных элементов текстурированных сред, что впоследствии позволит создать текстурированные поверхности практически любой сложности для реализации поверхностного вывода излучения из волновода. Разработаны оригинальные литографические шаблоны и проведена трехмерная литография. Контроль сформированных литографических рисунков осуществлялся методами оптической, электронной и атомно-силовой микроскопии.