Функционализация поверхности low-k диэлектриков ионами Ar низкой энергии

Представлены результаты моделирования воздействия атомов и ионов Ar низкой энергии на поверхность low-k диэлектрика с использованием метода теории функционала плотности. Исследован механизм удаления CH$_3$-групп с поверхности материала под воздействием атомов и ионов Ar. Получены оценки пороговой энергии данного процесса.