Влияние водорода на электрические и фотоэлектрические свойства тонкопленочных структур InP/Pd, полученных золь-гель методом

Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэлектрические свойства полупроводниковых структур, содержащих наночастицы Pd в составе тонких пленок, синтезированных золь-гель методом на подложке $n$-InP. Показано, что в присутствии водорода изменяется напряжение отсечки, и при освещении структуры светодиодом ($\lambda$ = 0.9 $\mu$m) и импульсном воздействии водородом изменяются фотоэдс и фототок, что наблюдалось нами ранее для чувствительных к водороду диодов Шоттки Pd/$n$-InP. Обсуждается перспективность использования исследуемых структур в качестве чувствительных элементов для сенсора водорода.