Роль эффекта затенения в кинетике роста III–V нитевидных нанокристаллов методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Предложена модель роста нитевидных нанокристаллов (ННК) полупроводниковых соединений III–V методом молекулярно-пучковой эпитаксии за счет диффузии адатомов элемента III группы с учетом эффекта затенения. Показано, что данный эффект оказывает существенное влияние на кинетику роста в плотных ансамблях ННК. Получено новое решение для длины ННК как функции их радиуса и эффективной толщины осаждения. Проведено сравнение расчетных и экспериментальных длин ННК InP.