И. С. Махов, А. А. Бекман, М. М. Кулагина, Ю. А. Гусева, Н. В. Крыжановская, А. М. Надточий, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs”, Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 12,страницы 40

Двухуровневая лазерная генерация в инжекционных микродисках на основе квантовых точек InAs/InGaAs

И. С. Махов^a, А. А. Бекман^b, М. М. Кулагина^b, Ю. А. Гусева^b, Н. В. Крыжановская^a, А. М. Надточий^a, М. В. Максимов^c, А. Е. Жуков^a

^a Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: В широком диапазоне инжекционных токов исследованы спектральные зависимости интенсивности электролюминесценции микродискового лазера диаметром 31 $\mu$m с активной областью на основе квантовых точек InAs/InGaAs, работающего в непрерывном режиме генерации. Впервые в инжекционном микродисковом лазере продемонстрирована генерация одновременно через основное и возбужденное состояния квантовых точек при высоких уровнях накачки. При слабых уровнях накачки лазерная генерация протекает через основной оптический переход квантовых точек.

Ключевые слова: микролазер, квантовые точки, двухуровневая генерация, основное состояние, возбужденное состояние.

Поступила в редакцию: 29.04.2022
Исправленный вариант: 04.05.2022
Принята в печать: 04.05.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.12.52678.19242