А. Л. Закгейм, А. В. Аладов, А. Е. Иванов, Н. А. Тальнишних, А. Е. Черняков, “Предельные энергетические возможности мощных AlInGaN-светодиодов”, Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 13,страницы 33

Предельные энергетические возможности мощных AlInGaN-светодиодов

А. Л. Закгейм^a, А. В. Аладов^a, А. Е. Иванов^ab, Н. А. Тальнишних^a, А. Е. Черняков^a

^a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Проведены исследования наиболее совершенных на данный момент AlInGaN-светодиодов конструкции “UX : 3” с распределенной системой отражающих контактов, расположенных на тыльной стороне излучающего кристалла. Изучены токовые зависимости мощностных и спектральных характеристик, включая их распределение (мэппинг) по излучающей поверхности в широком диапазоне рабочих токов до $\sim$30 А. На основе анализа ближнего поля излучения по интенсивности и спектру выявлена высокая однородность плотности тока при всех уровнях возбуждения (отсутствие эффекта “шнурования”). Насыщение оптической мощности и падение квантовой эффективности объясняются только внутренними факторами, которые хорошо описываются ABC-моделью.

Ключевые слова: AlInGaN-светодиод, квантовый выход, спектр излучения, мощность излучения, ближнее поле излучения.

Поступила в редакцию: 02.03.2022
Исправленный вариант: 05.05.2022
Принята в печать: 16.05.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.13.52742.19182