Особенности вольт-амперной характеристики перехода Ti–Si@O@Al

Приведены результаты измерения вольт-амперных характеристик (ВАХ) перехода металл–полупроводник тестовой структуры Ti (200 nm)|Si@O@Al (180 nm)|Ti (203 nm). Основу нанокомпозита Si@O@Al составляет твердый раствор Al в аморфном кремнии $a$-Si(Al). ВАХ тестовой структуры имеет вид, характерный для обратносмещенного омического контакта металла и полупроводника $p$-типа. Отсюда следует, что $a$-Si(Al) – твердый раствор замещения. Показано, что ВАХ хорошо описывается в рамках модели перехода металл–полупроводник и варисторного эффекта нанокомпозита. Определены удельное сопротивление и коэффициент нелинейности нанокомпозита Si@O@Al.