Гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/GaAs для ключевых pHEMT-транзисторов

Для улучшения параметров ключевых СВЧ-транзисторов оптимизированы гетероструктуры pHEMT. Оптимизированные гетероструктуры имеют одностороннее $\delta$-легирование на уровне 6 $\cdot$ 10$^{12}$ cm$^{-2}$ и спейсер AlAs/GaAs. На их основе изготовлены интегральные схемы двухпозиционных pHEMT-переключателей с длиной и шириной затвора 0.5 и 100 $\mu$m соответственно. Полученные транзисторы имеют следующие параметры: $g_{\mathrm{max}}$ = 400 mS/mm, ток насыщения $I_D$ = 380 mA/mm, сопротивление во включенном состоянии 1.0 $\Omega$ $\cdot$ mm, емкость в выключенном состоянии 0.37 pF/mm. Параметры переключателей на частоте 20 GHz следующие: вносимые потери -2.2 dB, потери запирания -56 dB, возвратные потери -11.7 dB, линейность $P_{1\mathrm{dB}}$ = 21 dBm и II$P_3$ = 40 dBm.