А. С. Голтаев, А. А. Воробьев, А. М. Можаров, А. В. Павлов, Д. М. Митин, В. В. Федоров, Ю. С. Бердников, И. С. Мухин, “Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 18,страницы 6

Гибкие солнечные элементы на основе гетероструктур GaAs/AlGaAs с улучшенными массогабаритными характеристиками

А. С. Голтаев^a, А. А. Воробьев^a, А. М. Можаров^a, А. В. Павлов^a, Д. М. Митин^a, В. В. Федоров^ab, Ю. С. Бердников^a, И. С. Мухин^a

^a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Обсуждаются вопросы создания гибкого солнечного элемента на основе классического гетероперехода GaAs/AlGaAs с использованием жертвенного слоя InAlP для отделения гетероструктуры от ростовой подложки, где в качестве подложки-носителя использована мембрана из полиметилметакрилата. Комбинация данных решений позволила достичь высокого показателя удельной мощности – 750 W/kg.

Ключевые слова: солнечный элемент, GaAs, ELO, гибкая электроника.

Поступила в редакцию: 06.05.2022
Исправленный вариант: 25.07.2022
Принята в печать: 25.07.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.18.53390.19245