RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2022, том 48, выпуск 18, страницы 36–40 (Mi pjtf7403)

Температурные характеристики кольцевых лазеров с активной областью на основе InAs/InGaAs/GaAs-квантовых точек оптического диапазона 1.3 $\mu$m

Н. Ю. Гордеевa, Э. И. Моисеевb, Н. А. Фоминыхb, Н. В. Крыжановскаяb, А. А. Бекманa, Г. О. Корнышовc, Ф. И. Зубовc, Ю. М. Шерняковa, А. Е. Жуковa, М. В. Максимовc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
b Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Санкт-Петербургский филиал), Санкт-Петербург, Россия
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследованы температурные характеристики кольцевых лазеров диаметром 480 $\mu$m оригинальной конструкции с активной областью на основе десяти слоев квантовых точек InAs/InGaAs/GaAs. Лазеры продемонстрировали низкую пороговую плотность тока (200 А/cm$^2$ при 20$^\circ$C в непрерывном режиме генерации), характеристическая температура порогового тока в диапазоне 20–100$^\circ$C составила 68 K, максимальная температура генерации 130$^\circ$C. Данные величины лишь незначительно уступают параметрам торцевых лазеров, изготовленных из той же эпитаксиальной структуры.

Ключевые слова: кольцевые полупроводниковые лазеры, квантовые точки InAs/GaAs, оптический волновод, температурные характеристики.

Поступила в редакцию: 20.07.2022
Исправленный вариант: 20.07.2022
Принята в печать: 05.08.2022

DOI: 10.21883/PJTF.2022.18.53397.19316



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025