Исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе CdHgTe и HfO$_2$

Исследована граница раздела Cd$_{0.22}$Hg$_{0.78}$Te и HfO$_2$, выращенного методом плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения при температуре 120$^\circ$C в экспериментально подобранном оптимальном ростовом режиме. Используемый метод измерения адмиттанса структур металл–диэлектрик–полупроводник позволил установить, что их электрофизические параметры однородны по поверхности образца. Проведен расчет энергетического спектра плотности быстрых поверхностных состояний на границе раздела HfO$_2$–Cd$_{0.22}$Hg$_{0.78}$Te.