RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Письма в Журнал технической физики
// Архив
Письма в ЖТФ,
2022
, том 48,
выпуск 21,
страницы
3–5
(Mi pjtf7427)
Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения
Г. С. Гагис
,
В. И. Кучинский
,
Д. Ю. Казанцев
,
Б. Я. Бер
,
М. В. Токарев
,
В. П. Хвостиков
,
М. В. Нахимович
,
А. С. Власов
,
В. И. Васильев
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
Продемонстрирована возможность изготовления структур фотоэлектрического преобразователя за счет твердофазных реакций замещения атомов Sb в полупроводниковых пластинах GaSb атомами As или P с одновременной диффузией Zn.
Ключевые слова:
твердофазные реакции замещения, фотоэлектрические преобразователи, широкозонное окно,
$p$
–
$n$
-переход, легирование.
Поступила в редакцию:
12.07.2022
Исправленный вариант:
12.07.2022
Принята в печать:
29.08.2022
DOI:
10.21883/PJTF.2022.21.53702.19304
Полный текст:
PDF файл (144 kB)
Реферативные базы данных:
©
МИАН
, 2025