Определение концентрации донорной примеси в тонких слоях $i$-InGaAs

Описана методика, позволяющая путем анализа вольт-фарадных характеристик структур металл-диэлектрик-полупроводник или металл-полупроводник определять концентрацию фоновой донорной примеси в нелегированных слоях $i$-In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As с толщиной меньше ширины области пространственного заряда в приповерхностной области полупроводника в режиме сильной инверсии.