Определение толщин и глубин залегания подповерхностных наноструктур с помощью сканирующего электронного микроскопа

Выведены расчетные соотношения сигнала обратнорассеянных электронов для многослойных наноструктур в зависимости от энергии зондирующих электронов и состава многокомпонентных образцов. По экспериментально измеренным сигналам и расчетным соотношениям определены не только толщины, но и впервые глубины залегания локальных микронеоднородностей трехмерных наноструктур. Исследования проведены неразрушающим методом детектирования обратнорассеянных электронов в сканирующем электронном микроскопе.