Оптическая и электрическая составляющие в выходном сигнале микрооптопар для оптоэлектронных сенсоров на основе монолитных гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs(Sb)

На примере монолитных микрооптопар, состоящих из нескольких диодов на основе гетероструктур $p$-InAsSbP/$n$-InAs или $p$-InAsSbP/$n$-InAsSb, выращенных на единой подложке $n$-InAs, показано, что электропроводность подложки ($n$-InAs) приводит к появлению значительных электрических помех в выходном сигнале оптопар. Величина этих помех при регистрации в схемах с трансимпедансным усилителем значительно возрастает при уменьшении динамического сопротивления диодов вблизи нуля смещения и/или увеличении темновых токов. Проведен анализ эквивалентной электрической схемы микрооптопар и даны рекомендации для снижения указанных помех.