Влияние внешнего магнитного поля на люминесценцию кристаллов фосфида галлия

Обнаружено влияние постоянного магнитного поля на спектры фотолюминесценции в монокристаллах фосфида галлия. Установлено, что предварительная экспозиция кристаллов GaP в постоянном магнитном поле ($B<$ 0.5 T) при комнатной температуре приводит к увеличению интенсивности полосы люминесценции с максимумом при $\lambda$ = 565 nm при воздействии на кристалл лазера с длиной волны 405 nm и мощностью не более 10 mW. При этом время релаксации полосы к исходному состоянию не превышало 3 h. Наблюдаемые особенности авторы связывают с влиянием магнитного поля как на скорость интеркомбинационной конверсии $(S_1\to T_1)$ в кристаллах GaP, так и на переход комплексов фосфида галлия с азотом в возбужденное состояние.