Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку

Рассматриваются особенности кристаллизации связывающего слоя кремния между слоем кубического карбида кремния с ориентацией (001) и гексагональной (0001) 6H-SiC-подложкой. Обсуждаются общие закономерности, выявленные при формировании ориентационных соотношений для слоя кремния относительно слоя 3C-SiC и подложки 6H-SiC.