Аннотация:
Представлены результаты экспериментального исследования влияния температуры на напряжение переключения лавинного $S$-диода, изготовленного из GaAs с примесью железа. Установлено, что рост температуры может приводить к снижению напряжения переключения при высокой частоте коммутации (500 kHz). Для анализа эффекта проведено моделирование двукратного переключения $S$-диода. Обнаружено два различных режима его работы на высокой частоте следования импульсов.