RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 4, страницы 23–26 (Mi pjtf7492)

Влияние температуры на напряжение переключения лавинных $S$-диодов

И. А. Прудаевa, В. В. Копьевa, В. Л. Олейникa, М. С. Скакуновa, А. С. Сотниковаab, С. М. Гущинb, В. Е. Земляковc

a Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
b Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
c Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Зеленоград, Москва, Россия

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния температуры на напряжение переключения лавинного $S$-диода, изготовленного из GaAs с примесью железа. Установлено, что рост температуры может приводить к снижению напряжения переключения при высокой частоте коммутации (500 kHz). Для анализа эффекта проведено моделирование двукратного переключения $S$-диода. Обнаружено два различных режима его работы на высокой частоте следования импульсов.

Ключевые слова: лавинный пробой, глубокие центры, арсенид галлия, силовая электроника, импульсная техника.

Поступила в редакцию: 23.09.2024
Исправленный вариант: 21.10.2024
Принята в печать: 22.10.2024

DOI: 10.21883/0000000000



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025