RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 4, страницы 31–34 (Mi pjtf7494)

Диагностика локальной теплопроводности паяных соединений гетероструктуры InGaP/Ga(In)As/Ge с теплоотводящей AlN-керамикой на основе сплава Sn$_{42}$Bi$_{58}$ методом лазерной фотодефлекционной микроскопии

А. Л. Глазов, В. С. Калиновский, А. А. Капралов, Е. В. Контрош, К. Л. Муратиков, К. К. Прудченко

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом лазерной сканирующей фотодефлекционной микроскопии проведено исследование тепловых потоков через паяные соединения в килогерцевом диапазоне модуляции. Оценены локальные теплопроводности внутри спаев, полученных с использованием флюсовых и бесфлюсовых припоев на основе эвтектического сплава Sn$_{42}$Bi$_{58}$. Показано, что теплопроводность спая отличается от табличного значения теплопроводности сплава, зависит от вида припоя и технологии пайки. Увеличение давления на соединяемые элементы в процессе пайки позволяет уменьшить тепловое сопротивление спая.

Ключевые слова: бессвинцовые припои, тепловое сопротивление, температурные волны, сканирующая микроскопия.

Поступила в редакцию: 16.09.2024
Исправленный вариант: 25.10.2024
Принята в печать: 26.10.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.04.59840.20123



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025