RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 4, страницы 42–45 (Mi pjtf7497)

Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 K

М. А. Тарасовa, А. А. Ломовb, А. М. Чекушкинa, А. А. Татаринцевb, Б. М. Серединc, М. А. Маркинаa, Е. Ф. Поздняковаd, А. Д. Головановаd, М. В. Стрелковa, Д. С. Жоговa, Р. К. Козулинa, К. Ю. Арутюновd

a Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
b Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
c ФГБОУ ВПО «Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова», Новочеркасск, Россия
d Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Москва, Россия

Аннотация: Выполнены экспериментальные исследования базовых параметров пленок алюминия толщиной 150 nm на подложках Si(111), SiO$_2$/Si(001). Пленки получены методами магнетронного распыления и термического испарения в диапазоне температур от 77 до 800 K. Для охлаждения подложки до температуры жидкого азота изготовлена вакуумная вставка в установку Z400, а для нагрева до 800 K использован штатный нагреватель установки Kurt Lesker. Установлено, что криогенное осаждение адатомов алюминия по сравнению с напылением на горячую подложку позволяет снизить размер формируемых зерен с 280 до 15–20 nm, а величину шероховатости с 5.4 до 1.7 nm. Удельное сопротивление пленок и температура сверхпроводящего перехода $T_c$ возрастают с 27 до 260 $\Omega$ $\cdot$ nm и с 1.2 до 2.3 K соответственно. Это связано с увеличением числа межзеренных границ в криогенных Al-пленках и может привести к возрастанию их кинетической индуктивности в 20 раз и более.

Ключевые слова: тонкие пленки, алюминий, удельное сопротивление, температура сверхпроводящего перехода, сканирующая электронная микроскопия, атомная силовая микроскопия.

Поступила в редакцию: 15.10.2024
Исправленный вариант: 25.10.2024
Принята в печать: 27.10.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.04.59843.20149



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025