Бимодальная генерация на модах шепчущей галереи в лазерах на основе вертикального микрорезонатора

Представлены результаты исследования расщепления мод шепчущей галереи в лазерах спектрального диапазона 930–950 nm на основе вертикального микрорезонатора. Использование распределенных брэгговских отражателей на основе чередующихся слоев Al$_{0.2}$Ga$_{0.8}$As/Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As, не поглощающих на длине волны накачного лазера, позволило снизить величину пороговой мощности оптической накачки до 180 $\mu$W (для 3 $\mu$m-микролазера). Добротность микрорезонатора на пороге генерации для мод шепчущей галереи превысила 14 000. Значительное энергетическое расстояние между модами ($\sim$80 $\mu$eV) наряду с высокой стабильностью длины волны генерации с ростом уровня накачки ($\sim$220 $\mu$eV) свидетельствует о перспективе использования данных лазеров с целью модуляции поляризации излучения.