Д. А. Бауман, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, П. А. Богданов, А. Ю. Иванов, В. В. Лундин, Е. Ю. Лундина, А. Ф. Цацульников, А. Е. Романов, П. Н. Брунков, “Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm”, Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 5,страницы 57

Рост методом Чохральского полуизолирующих объемных кристаллов $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированных железом, с удельным сопротивлением 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm

Д. А. Бауман^a, Д. Ю. Панов^a, В. А. Спиридонов^a, П. А. Богданов^a, А. Ю. Иванов^a, В. В. Лундин^b, Е. Ю. Лундина^c, А. Ф. Цацульников^bd, А. Е. Романов^ab, П. Н. Брунков^b

^a Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
^c ООО "Монолюм", Санкт-Петербург, Россия
^d Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Методом Чохральского выращены объемные кристаллы оксида галлия $\beta$-Ga$_2$O$_3$, легированные железом. Анализ спектров рентгеновской дифракции подтвердил присутствие только $\beta$-фазы и высокое кристаллическое качество. Измеренное удельное сопротивление составило 160 G$\Omega$ $\cdot$ cm.

Ключевые слова: объемные кристаллы, оксид галлия, полуизолирующие подложки.

Поступила в редакцию: 02.10.2024
Исправленный вариант: 05.11.2024
Принята в печать: 08.11.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.05.59907.20137