Электролюминесценция центров окраски германий–вакансия в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде

Впервые продемонстрирована электролюминесценция центров окраски германий–вакансия (GeV-центров) в алмазном $p$–$i$–$n$-диоде. Для создания центров окраски во внутренней области диода создавался слой, имплантированный ионами германия. В спектре излучения обнаружена узкая линия на длине волны 602.9 nm, соответствующая излучению центра окраски германий–вакансия в отрицательном зарядовом состоянии. Проведено сравнение спектров электролюминесценции центров окраски германий–вакансия и кремний–вакансия.