Магниторезистивный эффект на переменном токе в устройстве на основе структуры кремний на изоляторе

Представлены результаты исследований структуры кремний на изоляторе Fe/Si/SiO$_2$/$p$-Si и изготовленного на ее основе простейшего устройства в виде сдвоенного диода Шоттки. Обнаружено влияние внешнего магнитного поля. Получены значения магнитосопротивления на переменном токе до 500% в поле 1.5 T и до 3500% в поле 9 T. Данный эффект объясняется наличием примесных состояний на интерфейсе диэлектрик/полупроводник и процессом их перезарядки. Определены энергии данных состояний.