RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 8, страницы 16–19 (Mi pjtf7548)

Высокотемпературный ферромагнетизм в эпитаксиальной пленке TiO$_2$, имплантированной ионами кобальта при повышенной температуре

В. В. Базаровa, Е. М. Бегишевa, В. Ф. Валеевa, И. Р. Вахитовab, А. И. Гумаровab, А. Л. Зиннатуллинab, А. Г. Киямовb, Н. М. Лядовa, В. И. Нуждинa, Р. И. Хайбуллинab

a Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН, Казань, Россия
b Институт физики Казанского (Приволжского) федерального университета, Казань, Россия

Аннотация: Показано, что имплантация ионов Co$^+$ с энергией 40 keV и высокой дозой 1.25 $\cdot$ 10$^{17}$ ion/cm$^2$ в нагретую до 873 K тонкую эпитаксиальную пленку TiO$_2$ индуцирует в ней ферромагнетизм с критической температурой выше комнатной. Согласно анализу представленных экспериментальных данных, наблюдаемый ферромагнетизм обусловлен формированием в имплантированной пленке TiO$_2$ наночастиц кобальта размером около 30 nm.

Ключевые слова: ионная имплантация, диоксид титана, магниторазбавленные оксидные полупроводники, кислородные вакансии, энергонезависимая память.

Поступила в редакцию: 16.10.2024
Исправленный вариант: 06.12.2024
Принята в печать: 16.12.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.08.60157.20155



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025