Экранирующие свойства оптически прозрачных тонкопленочных сэндвич-структур In$_2$O$_3$/Ag/In$_2$O$_3$

Проведены синтез и комплексное исследование оптоэлектрических и экранирующих свойств оптически прозрачных проводящих сэндвич-структур In$_2$O$_3$/Ag/In$_2$O$_3$ на гибкой подложке из полиэтилентерефталата. Изучена взаимосвязь между толщиной слоя серебра и оптоэлектрическими параметрами сэндвич-структур In$_2$O$_3$/Ag/In$_2$O$_3$. Измерение коэффициентов пропускания и отражения в диапазоне 0.01–7 GHz показало четкую корреляцию между поверхностным сопротивлением и коэффициентом пропускания. Показано, что полученные результаты могут быть описаны моделью тонкого слоя в диапазоне 0.01–7 GHz.