RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2025, том 51, выпуск 9, страницы 31–34 (Mi pjtf7567)

Особенности формирования GaAs микродисков методом механической сканирующей зондовой литографии

П. А. Алексеев, М. Е. Попов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Исследуются особенности формирования литографического рисунка на (100) GaAs-подложке методом сканирующей зондовой литографии с использованием зондов с иглой из монокристаллического алмаза. Показано, что при нажиме зонда на поверхность и последующем движении относительно подложки происходит формирование углублений в подложке. Их глубина и ширина зависят от направления движения и формы острия зонда. Наибольшая глубина достигается при движении зонда в направлении, перпендикулярном плоскости грани острия с наибольшей площадью. Вследствие этого при циркулярном движении зонда возникает азимутальная неоднородность сформированных наноканавок по глубине, которая может быть устранена наклоном плоскости подложки.

Ключевые слова: сканирующая зондовая литография, атомно-силовая микроскопия, GaAs, микродиски.

Поступила в редакцию: 19.11.2024
Исправленный вариант: 13.01.2024
Принята в печать: 16.01.2024

DOI: 10.61011/PJTF.2025.09.60229.20192



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025