В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Ю. Н. Бузынин, М. Н. Дроздов, А. Н. Бузынин, П. А. Юнин, “Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 1,страницы 71

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Тонкие монокристаллические слои Ge на 2-дюймовых подложках Si

В. Г. Шенгуров^ab, С. А. Денисов^ab, В. Ю. Чалков^a, Ю. Н. Бузынин^ab, М. Н. Дроздов^ab, А. Н. Бузынин^c, П. А. Юнин^ba

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Определены условия получения методом химического газофазного осаждения с горячей проволокой тонких, однородных, зеркально-гладких слоев Ge на 2-дюймовых подложках Si. Cлои Ge толщиной 200 nm имеют структуру эпитаксиального мозаичного монокристалла при практически полной релаксации упругих напряжений. Значение полуширины рентгенодифракционной кривой качания составляет менее 6'. Плотность прорастающих дислокаций в слоях Ge находится в пределах (3–6) $\cdot$ 10$^5$ cm$^{-2}$, а величина среднеквадратичной поверхностной шероховатости не превышает 0.8 nm.