Динамика формирования инверсного базового слоя в туннельных МДП-транзисторах в сильных электрических полях

Исследовались динамические процессы установления коллекторного тока и скорость формирования инверсной базы в туннельных транзисторных МДП-структурах с туннельно-тонким слоем диэлектрика и с протяженным эмиттерным окном, выполненные на основе гетероперехода Al–SiO$_2$–$n$-Si.