RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 6, страницы 73–80 (Mi pjtf7666)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Диэлектрические свойства наночастиц HfO$_2$, полученных лазерной абляцией

М. А. Пугачевскийab, В. И. Панфиловb

a Институт материаловедения Хабаровского научного центра ДВО РАН, г. Хабаровск
b Дальневосточный государственный университет путей сообщения

Аннотация: Методом импеданс-спектроскопии в диапазоне частот от 50 до 10$^5$ Hz определены диэлектрические свойства наночастиц HfO$_2$, аблированных импульсным лазерным излучением. Показано, что на диэлектрическую проницаемость влияет степень пористости слоя аблированных частиц. При уменьшении пористости действительная $\varepsilon'$ и мнимая $\varepsilon''$ компоненты диэлектрической проницаемости увеличиваются. На основе анализа в рамках приближения эффективной среды Бруггемана определена статическая диэлектрическая проницаемость полученных наночастиц HfO$_2$ $\varepsilon'$ = 24 $\pm$ 2.

Поступила в редакцию: 07.07.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:3, 291–293

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025