RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 8, страницы 9–17 (Mi pjtf7687)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Влияние ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ловушек монокристаллов $n$-GaAs

Ф. С. Габибовa, Е. М. Зобовa, М. Е. Зобовa, С. П. Крамынинa, Е. Г. Пашукa, Ш. А. Халиловb

a Институт физики им. Х. И. Амирханова ДНЦ РАН, Махачкала
b Дагестанский государственный университет, г. Махачкала

Аннотация: Изучено влияние ультразвуковой обработки на фото-, термоэлектрические свойства монокристаллов $n$-GaAs, обусловленных электронными ловушками. Впервые показано, что ультразвуковая обработка приводит к изменению спектров фотопроводимости и термостимулированного тока в $n$-GaAs. Обсуждается возможный механизм воздействия ультразвуковой обработки на энергетический спектр электронных ловушек.

Поступила в редакцию: 13.04.2014


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:4, 362–365

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025