RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал технической физики // Архив

Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 8, страница 409 (Mi pjtf7700)

Erratum to: “Dynamics of induced base layer formation in tunnel MIS-transistors under strong electric fields”

S. V. Belov, E. V. Ostroumova, E. A. Rogacheva

Ioffe Physical Technical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, 194021 Russia

Язык публикации: английский


 Англоязычная версия: Technical Physics Letters, 2015, 41:4, 409


© МИАН, 2025