А. В. Саченко, Ю. В. Крюченко, А. В. Бобыль, В. П. Костылев, Е. И. Теруков, Д. А. Богданов, И. Е. Панайотти, И. О. Соколовский, Д. Л. Орехов, “Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 10,страницы 42

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Анализ возможностей реализации высоких значений эффективности фотопреобразования в тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементах

А. В. Саченко^a, Ю. В. Крюченко^a, А. В. Бобыль^b, В. П. Костылев^a, Е. И. Теруков^bc, Д. А. Богданов^b, И. Е. Панайотти^b, И. О. Соколовский^a, Д. Л. Орехов^c

^a Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, г. С.-Петербург

Аннотация: Проведен анализ возможности создания тандемных гетеропереходных тонкопленочных солнечных элементов – HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin-layer solar cells) элементов с эффективностью фотопреобразования выше, чем в лучших образцах однопереходных HIT структур. Показано, что вследствие малых времен жизни носителей заряда и высокой степени компенсации использование аморфного кремния в тандемных HIT элементах не может обеспечить рекордные показатели КПД. Определены ключевые параметры материала широкозонного $p$–$n$-перехода, расположенного с фронтальной стороны структуры тандемного солнечного элемента, позволяющие достичь эффективность фотопреобразования выше 25% в условиях AM1.5.

Поступила в редакцию: 28.12.2014