Н. В. Крыжановская, М. В. Лебедев, Т. В. Львова, Ю. В. Кудашова, И. И. Шостак, Э. И. Моисеев, А. Е. Жуков, М. В. Максимов, М. М. Кулагина, А. М. Надточий, С. И. Трошков, А. А. Блохин, М. А. Бобров, “Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 13,страницы 86

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Влияние сульфидной пассивации на люминесценцию микродисков с квантовыми ямами и квантовыми точками

Н. В. Крыжановская^ab, М. В. Лебедев^c, Т. В. Львова^c, Ю. В. Кудашова^a, И. И. Шостак^a, Э. И. Моисеев^ab, А. Е. Жуков^abd, М. В. Максимов^abc, М. М. Кулагина^c, А. М. Надточий^a, С. И. Трошков^c, А. А. Блохин^b, М. А. Бобров^c

^a Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН (Академический университет)
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^d Санкт-Петербургский научный центр РАН

Аннотация: Была использована сульфидная пассивация для уменьшения скорости поверхностной безызлучательной рекомбинации в микродисковых мезах на основе гетероструктур (AlGaIn)As/GaAs, активная область которых была сформирована либо из 10 квантовых ям GaAs/AlAs, либо из одного слоя квантовых точек InAs/In$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As. Показано, что пассивация приводит к существенному возрастанию интенсивности фотолюминесценции во всех типах мезаструктур.

Поступила в редакцию: 10.02.2015