Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью

Ж. И. Алферов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Поступила в редакцию: 19.11.1984

Реферативные базы данных:

•