Изменение вращательной вязкости нематического жидкого кристалла и плотности зарядов при добавлении квантовых точек CdSe/ZnS

Динамическая вращательная вязкость нематического жидкого кристалла 5СВ при добавлении полупроводниковых квантовых точек CdSe/ZnS с диаметром ядра 3.5 nm и концентрацией 10 wt% увеличилась в 2.5 раза. Сравнение токов диффузии в ячейках с чистым 5CB и его суспензией с квантовыми точками показало, что плотность носителей зарядов при этом увеличилась.