Реализация энергоэкономного режима детектирования водорода с применением полупроводниковой структуры Pt/WO$_x$/SiC

Показано, что при повышенных температурах ($\sim$ 350$^\circ$C) наиболее выраженный отклик на H$_2$ тонкопленочной структуры Pt/WO$_x$/SiC достигается при регистрации изменения напряжения на обратной ветви вольт-амперной кривой. Сравнительные исследования токопрохождения сквозь структуру и по ее поверхности (с нанесенной пленкой Pt) позволили установить, что изменение свойств интерфейсов Pt/WO$_x$ и WO$_x$/SiC под воздействием H$_2$ во многом определяет эффективность отклика структуры при использовании "поперечной" геометрии измерения. Для 2%-й концентрации H$_2$ в воздухе величина уменьшения напряжения на обратной ветви для тока $\sim$ 10 $\mu$A достигала 5 V против 2 V на прямой ветви и при “планарной” геометрии измерений.