Рост объемных кристаллов AlN методом газофазной эпитаксии из атомарного Al и NH$_3$

Опробован новый подход к получению объемных монокристаллов AlN методом газофазной эпитаксии. В качестве ростовых реагентов применяются NH$_3$ и пар Al. Допустимый в лабораторном оборудовании (экспериментальной ростовой установке) диапазон ростовых условий: температуры 1050–1500$^\circ$C при расходах аммиака до 50 sccm и давлениях порядка 10$^{-5}$–10$^{-4}$bar, скорости роста до 200 $\mu$m $\cdot$ h$^{-1}$. При температуре 1450$^\circ$C на MBE-темплейтах на основе подложек сапфира диаметром 2" получены образцы напряженных объемных блочных кристаллов AlN в вюрцитной фазе в направлении [0001] толщиной до 200 $\mu$m.