А. И. Белов, А. Н. Михайлов, Д. С. Королев, В. А. Сергеев, Е. В. Окулич, И. Н. Антонов, А. П. Касаткин, Е. Г. Грязнов, А. П. Ятманов, О. Н. Горшков, Д. И. Тетельбаум, “Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 19,страницы 81

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Влияние облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ на резистивное переключение в мемристивных структурах “металл–диэлектрик–металл” на основе SiO$_x$

А. И. Белов^a, А. Н. Михайлов^a, Д. С. Королев^a, В. А. Сергеев^a, Е. В. Окулич^a, И. Н. Антонов^a, А. П. Касаткин^a, Е. Г. Грязнов^ab, А. П. Ятманов^b, О. Н. Горшков^a, Д. И. Тетельбаум^a

^a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
^b Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова, Нижний Новгород

Аннотация: Для мемристивных структур Au/SiO$_x$/TiN/Ti, полученных методом магнетронного распыления и проявляющих воспроизводимый эффект резистивного переключения, изучено воздействие облучения ионами H$^+$ и Ne$^+$ с энергией 150 keV. Показано, что при облучении H$^+$ состояния с низким и высоким сопротивлением не меняются до дозы 1 $\cdot$ 10$^{16}$ cm$^{-2}$, а в случае облучения ионами Ne$^+$ – до дозы $\sim$ 3 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$. Полученные результаты демонстрируют высокую стойкость параметров исследуемых мемристивных структур как к ионизирующему, так и к дефектообразующему радиационному воздействию.

Поступила в редакцию: 05.05.2015