В. В. Лундин, Е. Е. Заварин, М. Г. Попов, С. И. Трошков, А. В. Сахаров, И. П. Смирнова, М. М. Кулагина, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, А. Ф. Цацульников, “Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений”, Письма в ЖТФ, 2015, том 41, выпуск 20,страницы 74

Влияние содержания алюминия на морфологию поверхности сильнолегированных мезаструктур (Al)GaN, сформированных селективной газофазной эпитаксией из металлоорганических соединений

В. В. Лундин^ab, Е. Е. Заварин^ab, М. Г. Попов^ab, С. И. Трошков^b, А. В. Сахаров^ab, И. П. Смирнова^ab, М. М. Кулагина^b, В. Ю. Давыдов^b, А. Н. Смирнов^b, А. Ф. Цацульников^ab

^a НТЦ микроэлектроники РАН, Санкт-Петербург
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Сильнолегированные кремнием мезаполосковые структуры Al$_x$Ga$_{1-x}$N формировались методом селективной газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. При $x\sim$ 0.01–0.07 мезаструктуры Al$_x$Ga$_{1-x}$N:Si имели качественно более гладкую поверхность верхней и боковых граней, чем GaN : Si. При $x\sim$ 0.03–0.07 в процессе роста на поверхности маски Si$_3$N$_4$ осаждался тонкий слой нанокристаллического AlN. При меньшем содержании Al этот слой не наблюдался.

Поступила в редакцию: 19.04.2015