Лазерная генерация в дисковых микроструктурах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии

Созданы микродисковые лазеры с использованием полупроводниковой структуры InGaN/GaN на подложке Si. Продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре в микролазерах диаметром 5–8 $\mu$m, работающих при оптической накачке в импульсном режиме на модах шепчущей галереи. Продемонстрирован сдвиг длины волны генерации от 406 до 425 nm за счет уменьшения оптических потерь лазера при увеличении его диаметра в пределах полосы усиления активной области на основе квантовых ям InGaN/GaN.