Новый способ увеличения параметра мемристора $R_{off}/R_{on}$ на примере тонкопленочной структуры на основе оксида титана

Предложен способ увеличения параметра мемристора $R_{off}/R_{on}$ методом введения в его конструкцию дополнительного электрода меньшей площади, соединенного с нижним электродом. На примере мемристора на основе TiO$_x$ c алюминиевыми электродами показано, что данный способ позволяет увеличить $R_{off}/R_{on}$ не менее чем в 3 раза.